- Размер коробочки (мм): 58х58х40
- Длина (мм):47
- Вес (гр):41
- Примечание: возможно искусственно выращенный
Карбид кремния
Карбид кремния (SiC), также известный как карборунд или муассанит (назван в честь французского исследователя Анри Муассана, в 1905г. впервые обнаружившего данный кристалл), является твердым веществом, состоящим из атомов кремния и углерода в равной пропорции. Природный карбид кремния — муассанит – можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Данный материал обладает одновременно керамическими и полупроводниковыми свойствами. Карбид кремния является твердым, химически инертным, устойчивым к высокой температуре (> 1000 ° C), окислению и воздействию окружающей среды веществом. Обладает высокой теплопроводностью, близкой к металлической. Более столетия SiC использовался в качестве абразива в промышленности (основной продукт "Carborundum company"), в настоящее же время карбид кремния нашёл применение и в аэрокосмической промышленности (высокотемпературные двигатели, тормозные диски), ядерной промышленности, композиционных материалах, фильтрах твердых частиц и нагревательных элементах.
Поскольку по оптическим свойствам карбид кремния близок к алмазу, он часто используется как ювелирный камень, под названиями «синтетический муассанит» или просто «муассанит». В основном, карбид кремния используется в качестве полупроводникового материала в электронике. Действительно, электронные устройства, изготовленные на основе карбида кремния, способны работать при более высоких температуре, мощности, частоте и в условиях более агрессивной окружающей среды, нежели изготовленные на основе других полупроводниковых материалов (кремний, германий, арсенид галлия). Широкое использование электронных приборов на основе карбида кремния на транспорте должно внести существенный вклад в сохранение окружающей среды, поскольку основным преимуществом карбидокремниевой электроники перед кремниевой является уменьшение энергетических потерь в электронных приборах при переключении и, таким образом, возможно сократить расход топлива, а значит и выброс углекислого газа в атмосферу, что является одной из основных причин заинтересованности европейского сообщества в данных технологиях. И именно поэтому Япония решительно поддерживает исследования в области применения SiC электроники для гибридных автомобилей. Однако, для достижения требуемых электронных свойств SiC необходимо добиться высокой степени структурного совершенства получаемых кристаллов.
источник netfisic.eu